出色的可扩展性可有效满足不断增长的企业要求 

H3C CF系列存储全面消除了阻碍传统存储充分利用闪存介质的瓶颈，闪存优化架构可支持闪存固态硬盘发挥出最佳性能，同时也支持将其用作DRAM高速缓存的真正扩展。块一级存储分层与混合工作负载优化功能同样可支持机械和闪存介质实现卓越性能。 

这一闪存优化架构使得H3C CF22000系列存储能够实现多PB的可扩展性，并带来超过 1500万IOPS和亚毫秒级延迟的出色性能。该架构利用了多项独一无二的的创新技术，其中包括： 

● 独特的集群式 Mesh-Active 架构： 8+8+8+8控制器架构，通过独特的控制器节点之间高速PCI-e总线互联，形成Mesh-Active集群。与传统的“主动-主动”架构不同，这一集群设计有助于提供稳定的负载平衡性能和更大的、经济高效的可扩展性空间，同时消除在模块化和单体存储中常见的折衷处理。 

● 专用 ASIC: 支持混合工作负载和包括在线重复数据删除在内的精简技术，可在保持极高性能的同时，消除传统存储存在的性能问题。Thin Express ASIC可为混合工作负载带来卓越性能，确保事务和吞吐率密集型工作负载能够在相同的存储资源上高效运行，不会出现资源争用问题，从而能够帮助企业在保证性能的情况下实现高效整合。 

● 自适应读写技术： 精细匹配主机I/O大小读写与闪存介质，以避免不必要的数据读写，从而降低延迟、增强后端性能和延长闪存介质使用寿命，最终降低存储的总体拥有成本 (TCO)。 

● 自主高速缓存算法： 可基于利用率自动变更数据从高速缓存卸载到闪存介质的频率，从而减少系统瓶颈。这有助于在您将工作负载扩展到千万 IOPS，始终能够获得卓越性能。 

● 多租户I/O处理： 通过将大型 IO分解为较小的数据块，使较小的读取请求不会受阻于较大的IO请求，可确保降低延迟，改善混合工作负载或虚拟桌面基础设施 (VDI) 部署的性能。 

​● 二级缓存： 这一特性支持将固态硬盘用作系统高速缓存的真正扩展。在采用固态硬盘的 H3C CF系列存储阵列上，该特性可显著提高吞吐率，大幅降低延迟。 

● 缓存掉电保护：通过控制器内置电池模块，当阵列外部电源出现断电时，内置电池可对控制器进行供电，确保断电后高速缓存中的数据能够安全写入控制器内部的SSD固态硬盘，保证数据的完整性和可靠性。 

● 虚拟域：可以提供隔离的访问，不仅能实现传统存储阵列的缓存分区功能，还能提供多个独立、安全的虚拟专用存储阵列，为不同的应用程序和用户组提供强健、安全的存储服务。 

● 高速写入： 写入加速功能可根据工作负载优化CPU利用率，能够帮助实现更高的吞吐率、最高提高 30%的IOPS、以及最高降低20%的延迟。 

● 底层虚拟化：通过业界领先的硬盘虚拟化技术，实现数据均衡分布，单盘支持多种RAID并存，允许三块盘及以上同时故障，进一步提高存储性能和可靠性，单TB重建时间可达到30分钟以内。